14 代酷睿如期发布了，存超从方虽然从绝对性能来看提升幅度不大，简单建议但改进优化了内存控制器，面入对高频内存支持更好，存超从方一键 xmp 到 8000mhz 比之前就更加轻松了。简单建议也可以理解为在 ddr5 内存超频上，面入14 代新酷睿平台是存超从方占有优势的。
不过，简单建议ddr5 内存超频并不是面入简单的 1 1=2，过程还是存超从方那么折腾，一点也不简单。简单建议接下来，面入就跟大家分享一些玩 ddr5 内存超频需要了解的存超从方知识点。
一、简单建议cpu 的面入选择
超 ddr5 内存，cpu 是非常重要的。一般选择带 k 后缀的型号，因为它们不锁倍频，不锁 sa 电压，对高频内存的支持更好。同时，一般也拥有更好地体质。想要超到 8000mhz，自然需要给内存控制器加电压，才能稳定运行。这里就给大家推荐 i7 14700k。
二、主板的选择
主板的话，首选华硕，技嘉，微星三大品牌。z 系主板定位高端，往往比 b 系主板具备更好的用料和超频性能，厂商也会在上面做更多的超频优化。想要冲击 ddr5 高频率，建议选两槽内存的旗舰级 z790 主板。
三、内存的选择
相比于 cpu 与主板，内存的选择至关重要。而选择超频 ddr5 内存，相当于选择内存颗粒。内存颗粒体质的好坏，直接影响到超频极限。目前内存颗粒主流有三家：海力士，三星和美光。d4 时代，三星 b-die 颗粒堪称无敌的存在。到了 d5 时代，那就是海力士颗粒的天下，海力士的 a-die，m-die 颗粒都很能超。
如果是小白用户，也想玩超频。那一定要选择支持 xmp3.0 或 expo 技术的 ddr5 内存。这样一键超频，让内存运行在高频下，不用手动去调整参数。
近期选择能超的 ddr5 内存，可以考虑一下佰维 wookong dx100 ddr5 rgb 内存套装。
dx100 采用由高精度自动化设备严选海力士原厂颗粒，保证颗粒体质的一致性和高品质，减少人工筛选误差和盲区，保证超频潜力被充分挖掘出来。
这款 ddr5 内存还采用超频专用的 10 层 pcb 板堆叠设计，具备更强电气性能，优化信号传输，承受更大电流。性能提升无短板，巨大的超频潜力等着你去探索。并且配备专为超频设计的 pmic 电源管理芯片，高效稳定供电的同时，不锁电压，让自主超频的极限玩家放开手脚探索。
dx100 配备大型压铸铝合金散热装甲，高导热硅胶条紧贴热源，快速散发掉颗粒的热量，为超频使用和高性能需求保驾护航。
目前 dx100 可以到提供 700mhz 的高频，以 intel xmp 3.0 技术一键直达，部分型号还支持 amd expo，方便 a 家平台也可以一键享受高频带来的高带宽和低延迟。当然，如果你的平台足够给力，有专业超频知识支撑，挑战 8000mhz 高频并不是梦。
四、ddr5 内存超频需要调节的参数
首先是内存电压。ddr5 内存电压起始设定一般在 1.1v。超到 6400、6600、6800 这样频率，内存电压会用到 1.2v-1.35v。而要超到 7000mhz 以上频率，视情况要把内存电压提升到 1.4-1.5v。
cpu 电压中的 sa 电压，一般带 k 的处理器 sa 电压都给的很高，可以先不调整这个参数。不过要注意，sa 电压过高，温度过高，也会影响到内存冲击更高频率。
cpu 还有两个非常重要的电压参数可调，分别 cpu vddq 和 cpu vdd2，也就是内存控制器的电压。注意，这 2 个电压在华硕主板上被写成是 ivr 以及 mcv 电压。
其中有大神表示，三星颗粒会对 cpu vdd2 电压非常敏感，一般要控制在 1.25-1.35v 之间，太高反而会超频失败；cpu vddq 电压一般区间在 1.35~1.4v 就可以了。而海力士颗粒则需要更高的 cpu vddq 电压，正常情况都要 1.38v，要冲击高频率至少要到 1.5v，cpu vdd2 电压则维持在 1.2v 以上，一般不超过 1.35v。
总结：
还是那句老话，超频有风险，志在折腾也要量力而行。同时上文推荐 dx100 内存精选海力士颗粒，在超频上下了很多功夫，感兴趣的小伙伴可以入手一套，挑战一番，惊喜不断哦。
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